Samsung e Sun desenvolvem memória flash de alta duração
As solid state drives NAND de single-layer cell criadas pela Samsung e pela Sun têm 50 mil ciclos de leitura/escrita.
As memórias deste tipo tradicionais têm “apenas” dez mil ciclos e a pesquisa das duas empresas permitiu quintuplicar este valor. A Samsung anuncia também que este dispositivo permite cem vezes mais operações de Input/Ouput por segundo por watt.
Streaming de vídeo, processamento de dados, funções de pesquisa e outras operações de grande escala de servidores podem ser asseguradas com este tipo de equipamentos, noticia o The Register.
A Sun revelou que em 2010 vai ter opções de armazenamento em flash em todos os seus servidores.
